Würth Elektronik’s WE-HCMD Induktivitäten ermöglichen kompakte und effiziente Spannungsregler für Hochstromanwendungen. Der MnZn-Kern liefert exzellente Permeabilität sowie geringen RDC von nur 0,125 m? und sorgt für schnelle Dämpfung und minimale Spannungsschwankungen. Bei Belastungen bis 190 A und Temperaturen bis 125 °C bleibt die Induktivität stabil. Durch verminderten Kondensatorbedarf verringert sich das Board-Layout. Typische Einsatzgebiete sind CPU-Motherboards, GPUs, FPGAs, KI-Prozessoren sowie Hochleistungs-ASICs. Das modulare Design spart Bauraum, senkt Kosten und beschleunigt Time-to-Market für Entwicklung.
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WE-HCMD Hochstrominduktivität arbeitet zuverlässig bis 125 °C, 190 A
Die Spulen bestehen aus Flachdraht, wobei die innere isoliert ist. (Foto: Würth Elektronik eiSos GmbH & Co. KG)
Mit der WE-HCMD-Induktivität adressiert Würth Elektronik Anforderungen an höchste Leistungsdichte und schnellen Einschwingvorgang in TLVR-Systemen. Der MnZn-Kern sorgt für geringe Verlustleistungen und einen Kopplungsfaktor bis 0,98, während der extrem niedrige Innenwiderstand von 0,125 m? Spannungsabfälle minimiert. Wählbare Induktivitäten von 70 nH bis 200 nH, ein Nennstrom von 78 A und ein Sättigungsstrom von 190 A garantieren kompakte Lösungen mit optimierter Effizienz. Ideal für anspruchsvolle Anwendungen mit dynamischen Lastwechseln und temperaturstabil.
WE-HCMD Spule bietet herausragende Leistungsdichte, niedrigen RDC, effiziente Topologien
Die Kombination aus hochpermeablem MnZn-Kern und optimierten Werkstoffen führt bei der WE-HCMD-Spule zu extrem niedrigem RDC und beeindruckender Leistungsdichte. Ihr rascher Einschwingvorgang minimiert transienten Spannungsabfall in TLVR-Anwendungen und steigert so den Gesamtwirkungsgrad deutlich. Dadurch kann der Ausgangskondensator weitaus kleiner dimensioniert werden, was Platz und Kosten spart. Entwickler profitieren von verbesserter Reaktionsgeschwindigkeit, stabilen Spannungsprofilen auch bei schnellen Lastwechseln und einer effizienten Kühlleistung unter hoher thermischer Belastung. Optimierte Energieausbeute über den gesamten
Effiziente TLVR-Spule bewältigt dynamische KI-Lasten selbst für konstante Versorgungsspannung
In FPGA-Spannungsversorgungen mit KI-Workloads bewältigen Trans-Inductor-Schaltungen rasante Stromfluktuationen, die Effizienz und Stabilität herausfordern. WE-HCMD reagiert mit einem hoch permeablen MnZn-Kern, 0,125 m? RDC und hoher Koppelfähigkeit, um selbst bei 125 °C und kurzfristigen Spitzen bis 190 A konstante Induktivität zu garantieren. Entwickler profitieren von geringerer Wärmeentwicklung, reduzierten Filteranforderungen und verlässlicher Spannungsversorgung bei schnellen Lastwechseln in Mehrphasen-TLVR-Designs. Die SMT-Bauform erlaubt flexible Prototypenentwicklung ohne Mindestbestellmenge und steigert Wirkungsgrad in Power-Designs aller Leistungsklassen effektiv weltweit robust.
Multiphase-Induktivität WE-HCMD steigert Effizienz auf CPU Motherboard GPU Server
Mit der WE-HCMD-Induktivität erhalten Entwickler eine passgenaue Komponente für mehrstufige Spannungswandler in CPU-Motherboards, GPUs, FPGAs, KI-Beschleunigern, Servern und ASICs. Die gepaarte Spulenkonfiguration garantiert in Multi-Phase-Designs schnelle Einswingvorgänge und konstante Spannung bei abrupten Lastwechseln. Dabei sorgen geringe Verluste, hohe Sättigungsströme und kompakte Abmessungen für maximale Leistungsdichte und verbesserte thermische Resilienz. Das Ergebnis ist zuverlässige Energieversorgung in anspruchsvollen Power-Topologien mit hohem Integrationsgrad. Außerdem unterstützen sie reduziertes Rauschen und erhöhen dauerhaft die Systemstabilität.
Hochstrominduktivität WE-HCMD erreicht niedrigen RDC, konstante Leistung bei 125°C
Die WE-HCMD-Induktivitäten decken mit vier Varianten im 0910-Gehäuse und sechs im 1111-Format einen breiten Leistungsbereich ab. Bei einem Nennstrom von 78 A und Umgebungstemperaturen bis 125 °C ermöglichen sie Sättigungsströme bis 190 A. Ein äußerst niedriger DC-Widerstand von 0,125 m? sorgt für minimale Spannungsabfälle und Leistungsverluste. So bleibt die Induktivität auch bei engen Layouts und extremen thermischen Bedingungen zuverlässig stabil und unterstützt so hochdynamische Schaltvorgänge ohne Leistungsverlust effizient in Multiphase-Topologien.
Prototypen schnell realisieren mit kostenlosen WE-HCMD Spulenmustern ohne Abnahmelimit
Die sofortige Verfügbarkeit aller SMT-fähigen WE-HCMD-Modelle ab Lager ohne Mindestbestellmenge ermöglicht flexible Entwicklerprozesse. Durch kostenfreie Bemusterung lassen sich die Hochstrominduktivitäten unkompliziert in TLVR-Konfigurationen integrieren und sowohl Effizienz als auch thermisches Verhalten schnell evaluieren. Entwickler erhalten zeitnah belastbare Ergebnisse aus realen Testszenarien, was Optimierungszyklen verkürzt und Prototyping-Schritte beschleunigt. Mit diesem Service senkt Würth Elektronik die Barrieren für innovative Power-Designs und fördert eine schnelle Umsetzung von Leistungsversorgungen. Zudem reduziert dieser Ansatz Entwicklungskosten.
Höchste Leistungsdichte und Effizienz: WE-HCMD-Serie maßgeblich revolutioniert TLVR-Topologien weltweit
Würth Elektronik hat mit der WE-HCMD-Baureihe eine spezialisierte Induktivitätslösung für TLVR-Architekturen entwickelt, die einen Koppelfaktor bis 0,98 und einen DC-Widerstand von nur 0,125 m? bietet. Die hohe Permeabilität des MnZn-Kerns ermöglicht geringe Verluste und schnelle Stromwechsel bei 78 A Nenn- und 190 A Sättigungsstrom. Anwender profitieren von kompakter Bauform, reduzierten Ausgangsfiltergrößen und zuverlässiger Spannungsregulierung in anspruchsvollen CPU-, GPU-, FPGA- und KI-basierten Systemen. Robustes Design sichert langfristig stabile Betriebsparameter in Anwendungen.
